Stuttgart, 18. September 2008: IBM hat bekannt gegeben, dass es in Zukunft gemeinsam mit dem taiwanesischen Industrial Technology Research Institute (ITRI) an der Erforschung des "Racetrack Memory", eines neuen Ansatzes im Bereich des Solid State-Hauptspeichers, arbeiten wird. "Racetrack Memory" wurde ursprünglich von dem IBM Mitarbeiter Dr. Stuart Parkin am IBM Almaden Research Center in San Jose, Kalifornien, entwickelt.
Im April 2008 hat IBM im Rahmen der "Racetrack Memory"-Forschung eine Entdeckung gemacht, die elektronische Geräte ermöglichen könnte, die mehr Daten speichern könnten als dies heute möglich ist, die über besonders schnelle Boot-Zeiten verfügen, kostengünstiger und sehr stabil und langlebig sind. Das gemeinsame Entwicklungsteam wird neue Materialien und Strukturen für "Racetrack Memory" untersuchen, die einen Paradigmenwechsel im Bereich Storage und Hauptspeichertechnologie herbeiführen könnten.
"Racetrack Memory" wurde so genannt, da Daten in einer Nanodrahtspule "rennen" . Die Technologie könnte zu Solid-State-Geräten führen, die ohne die beweglichen Teile stabiler sind und das Speichern einer größeren Datenmenge auf demselben Raumbedarf ermöglichen als heute. So könnte diese Technologie beispielsweise ein handliches Gerät von der Größe eines mp3-Players ermöglichen, das etwa 500.000 Musikstücke oder 3.500 Filme speichern kann, was etwa dem Hundertfachen der heutigen Datenmenge in einem solchen Gerät entspricht. Gleichzeitig würden Kosten und Energieverbrauch gesenkt werden. Die Geräte könnten nicht nur mehr Informationen auf demselben Speicherplatz speichern, sondern würden deutlich weniger Energie verbrauchen, weniger Hitze produzieren und dabei praktisch unverwüstlich sein. Das Ergebnis: Große persönliche Speichermengen, die mit einer einzigen Batterie wochenlang nutzbar wären und über Jahrzehnte halten könnten.
"Racetrack Memory" verspricht höhere Kapazität, nicht flüchtigen Hauptspeicher mit hoher Leistung und geringem Energieverbrauch. Dieser Ansatz speichert Daten in Form von Domain Walls, den Begrenzungen zwischen unterschiedlich gepolten magnetisierten Regionen, in magnetischen Nanodrähten. Viele Domain Walls werden in jedem Racetrack gespeichert und ermöglichen so eine hohe Datendichte und verursachen deshalb nur geringe Kosten, ebenso niedrig wie bei Flash Memory, das horizontale Racetracks nutzt und vermutlich genauso niedrig wie magnetische Plattenlaufwerke mit vertikalen Racetracks. Die Daten innerhalb jedes Racetracks werden gelesen und geschrieben, indem sie auf Lese- und Schreibelemente "verschoben" werden. IBM hat erst kürzlich gezeigt, dass kurze Spin-polarisierte Strompulse zum kontrollierten Verschieben von ausgewählten Domain Walls entlang eines Racetracks verwendet werden können und das Kernprinzip des "Racetrack Memory" bilden.
Weitere Informationen unter www.ibm.com oder in der original Presseinformation anbei.
IBM, ITRI Collaborate to Advance New Solid-State Memory
“Racetrack Memory” promises high performance and capacity, low cost and power use
SAN JOSE, Calif. - 17 Sep 2008: IBM (NYSE: IBM) announced today that it has entered into a joint development agreement with Taiwan’s Industrial Technology Research Institute (ITRI) to further explore "Racetrack Memory," an entirely new approach to solid state memory. Racetrack Memory was conceived by IBM Fellow Dr. Stuart Parkin at IBM’s Almaden Research Center in San Jose, CA.
Racetrack Memory is an exciting and highly innovative concept that builds upon IBM’s significant accomplishments in the research and development of nanomaterials and nanodevices based on the manipulation of spin-polarized electrical current," said Dr. T.C. Chen, IBM Fellow and Vice President, Science & Technology, IBM Research.
In April of this year, IBM announced a milestone in its Racetrack Memory research that could lead to electronic devices capable of storing far more data in the same amount of space than is possible today, with lightning-fast boot times, far lower cost and unprecedented stability and durability. The joint development team, led by Dr. Parkin and ITRI’s Vice President Dr. Ian Chan, will study new materials and structures for Racetrack Memory that could lead to a paradigm shift in storage and memory technologies.
"We expect that our exploration of a wide variety of materials and structures will provide new insight into the dynamics of Racetrack Memory, making possible an entirely new class of information storage devices," said Dr. Ian Chan, Vice President of ITRI. "This could change the design of information processing systems."
Racetrack Memory, so named because the data "races" around a nanowire "track," could lead to solid state electronic devices – with no moving parts, and therefore more durable – capable of holding far more data in the same amount of space than is possible today. For example, this technology could enable a handheld device such as an mp3 player to store around 500,000 songs or around 3,500 movies – 100 times more than is possible today – with far lower cost and power consumption. The devices would not only store vastly more information in the same space, but also require much less power and generate much less heat, and be practically unbreakable; the result: massive amounts of personal storage that could run on a single battery for weeks at a time and last for decades.
Racetrack Memory: A closer look
Racetrack Memory promises a high capacity, non-volatile memory storage device with high performance and low energy consumption. This approach stores data in the form of domain walls – boundaries between oppositely magnetized regions- in magnetic nanowires. Many domain walls are stored in each racetrack, enabling very high data density and thereby low cost -- as low as FLASH memory using horizontal racetracks and potentially as low as magnetic disk drives using vertical racetracks. The data within each Racetrack are read and written by shifting them to reading and writing elements. IBM recently demonstrated that short pulses of spin polarized current can be used to controllably move several domain walls back and forth along a racetrack, the key underlying principle of Racetrack Memory. (See Science, April 11, 2008.)
About IBM
For more information about IBM, please visit www.ibm.com.
About ITRI
For more information about ITRI, please visit www.itri.org.tw/eng.
IBM Deutschland
Pascalstraße 100
70569 Stuttgart
Phone: +49-711-785-1627
Mobile: +49-160-96864835
E-Mail: kathrin.gisdon@de.ibm.com
